設置目的

米国IBMのワトソン研究所でその開発に10年間かかった、銅ダマシンめっきプロセスが1998年に実用化された。髪の毛の直径（100μm）の1/1,000の0.1μmの微小な配線に電気銅めっきする技術である。この微小めっき技術は、現在では、シリコン貫通電極（TSV）、ビルドアッププリント基板、リチュウムイオン電池用の両面平滑銅箔の分野でも多用されている。このように微小めっき技術は、その適用範囲は広く、しかも最先端のうえ多彩である。

本研究所ではこの微小めっき分野での中堅・中小企業との種々の共同研究を実施する。さらにそれらの企業を凌駕する新規な府大発のメガベンチャー企業の発足を目指す。同時にこの分野での国際共同研究を実施し国際会議の主催、研究者向けの解説書の出版、大学院生の相互交流を通じてこの分野の活性化を図る。

研究内容の概要

1. 低線膨張銅めっき液の販売に関するベンチャー企業の発足
   既に低線膨張を発現する新規レベラーを世界ではじめて見出している。このレベラーをめっき液として販売するベンチャービジネスを2015年度中に実施する。
2. TSV高速めっき装置と液の共同研究の実施
3. 新規レベラー、促進剤開発の共同研究の実施
4. 微小めっきMEMS、ナノインプリントの共同研究の実施
5. 低抵抗銅めっきの共同研究の実施

研究所の研究内容

構成員

所長

井上 博史（工学研究科 教授）

研究員

区分	教授
工学研究科	平井 義彦 菊田 久雄 瀧川 順庸

客員研究員

機関	役職	氏名
–	–	近藤　和夫

設立年月日

2015年（平成27年）9月15日